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Transistor PNP -50V -0.15A 2SB1009

Référence produit : 2SB1009
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)-50V
Courant collecteur (Ic)-150mA
Gain en courant continu (hFE)120-400
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))-0.3V (max)
Fréquence de transition (fT)180MHz (typ)

Description technique du produit (2SB1009):

Transistor PNP -50V -0.15A 2SB1009. Transistor bipolaire PNP de faible puissance, conçu pour les applications de commutation et d'amplification générale.