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On Semiconductor
Transistor PNP -400V -8A MJE5852G
Référence produit : MJE5852G
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2 | 6.20 € | — |
| 3 – 49 | 5.42 € | -13% |
| 50+Meilleur prix | 5.33 € | -14% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | -400V |
| Tension collecteur-base (Vcbo) | -400V |
| Courant collecteur continu (Ic) | -8A |
| Gain en courant continu (hFE) | 20-100 |
| Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat)) | -1.5V |
| Fréquence de transition (fT) | 4 MHz |
Description technique du produit (MJE5852G):
Transistor PNP -400V -8A MJE5852G. Transistor de puissance bipolaire PNP conçu pour les applications de commutation et d'amplification à haute tension et courant.