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Transistor PNP -30V -3A GSB772S
Référence produit : GSB772S
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|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 0.40 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | -30V |
| Courant collecteur (Ic) | -3A |
| Gain en courant continu (hFE) | 100-400 |
| Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat)) | -0.5V (max) |
| Fréquence de transition (fT) | 100MHz (min) |
Description technique du produit (GSB772S):
Transistor PNP -30V -3A GSB772S. Transistor bipolaire PNP de puissance, conçu pour la commutation générale et les applications d'amplification.