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Transistor PNP -300V -0.5A MJE350G
Référence produit : MJE350G
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 1.26 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.78 € | -38% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | -300 V |
| Courant collecteur (Ic) | -0.5 A |
| Gain en courant continu (hFE) | 30 (min) |
| Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat)) | -0.5 V (max) |
| Fréquence de transition (fT) | 4 MHz (typ) |
Description technique du produit (MJE350G):
Transistor PNP -300V -0.5A MJE350G. Transistor bipolaire PNP de puissance moyenne, conçu pour les applications de commutation et d'amplification.