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ON Semiconductor

Transistor PNP -25V -4A MJE210G

Référence produit : MJE210G
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)-25V
Courant collecteur continu (Ic)-4A
Gain en courant continu (hFE)20-100
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))-1.2V (max)
Fréquence de transition (fT)4 MHz (typique)

Description technique du produit (MJE210G):

Transistor PNP -25V -4A MJE210G. Le MJE210G est un transistor de puissance bipolaire PNP conçu pour les applications d'amplification et de commutation de puissance à usage général.