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On Semiconductor
Transistor PNP -100V -8A MJD127G
Référence produit : MJD127G
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2 | 2.50 € | — |
| 3 – 9 | 2.10 € | -16% |
| 10 – 19 | 1.85 € | -26% |
| 20 – 62 | 1.66 € | -34% |
| 63+Meilleur prix | 1.51 € | -40% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | -100V |
| Courant collecteur continu (Ic) | -8A |
| Gain en courant continu (hFE) | 1000 (min) à Ic = -3A |
| Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat)) | -1.5V (max) à Ic = -3A |
| Fréquence de transition (fT) | 4 MHz (typique) |
Description technique du produit (MJD127G):
Transistor PNP -100V -8A MJD127G. Le MJD127G est un transistor Darlington PNP de puissance moyenne, conçu pour les applications de commutation et d'amplification. Il offre un gain en courant élevé et une tension de claquage collecteur-émetteur de -100V, ce qui le rend adapté aux circuits nécessitant une amplification de courant significative.