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Philips Semiconductors

Transistor PNP -100V -12A BDT64C

Référence produit : BDT64C
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)-100V
Courant collecteur (Ic)-12A
Gain en courant continu (hFE)1000 (min) @ Ic = -5A
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))-2.5V (max) @ Ic = -5A

Description technique du produit (BDT64C):

Transistor PNP -100V -12A BDT64C. Le BDT64C est un transistor de puissance Darlington PNP conçu pour les applications de commutation et d'amplification de puissance. Il offre un gain en courant élevé et une capacité de courant collecteur importante, ce qui le rend adapté aux charges inductives et aux circuits de commande.