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Philips Semiconductors

Transistor PNP -100V -10A BDT86

Référence produit : BDT86
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)-100V
Courant collecteur (Ic)-10A
Gain en courant continu (hFE)1000 (min) @ Ic = -5A
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))-2V (max) @ Ic = -5A, Ib = -20mA

Description technique du produit (BDT86):

Transistor PNP -100V -10A BDT86. Le BDT86 est un transistor de puissance Darlington PNP conçu pour les applications de commutation et d'amplification de puissance. Il offre un gain en courant élevé et une capacité de courant collecteur importante.