Transistor PHB45N03LT

Transistor PHB45N03LT. Transistor. C (in): 920pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor de puissance à effet de champ. Commande par niveau logique. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 0.05uA. Dissipation de puissance maxi: 86W. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 78 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: TrenchMOS transistor. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-404. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 25V. Tension grille/source Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 10:25.