Transistor P2804BDG

Transistor P2804BDG. Transistor. C (in): 790pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amélioration du niveau logique. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 10A. Dissipation de puissance maxi: 32W. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11.8 ns. Td(on): 2.2 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 40V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 13:25.