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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor NPN, 15A, 150V - BUV27A. Transistor NPN, 15A, 150V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 85W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Produit d'origine constructeur Philips Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 09/06/2025, 05:25.

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Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 7V
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Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 7V
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