Transistor NPN, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V - BFW92A

Transistor NPN, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V - BFW92A. Transistor NPN, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V. Boîtier: TO-50. Courant de collecteur: 0.025A. Boîtier (selon fiche technique): TO-50-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Résistance B: non. Diode BE: transistor NPN haute fréquence. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé (CMS). C (in): TO-50. Diode CE: composant monté en surface (CMS). Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3.2GHz. Fonction: Amplificateur RF large bande jusqu'à la gamme GHz.. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Spec info: 'Planar RF Transistor'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Produit d'origine constructeur Vishay (temic). Quantité en stock actualisée le 09/06/2025, 15:25.