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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor NPN, 100V, 3A, TO-220 - BD241C

Transistor NPN, 100V, 3A, TO-220 - BD241C
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Transistor NPN, 100V, 3A, TO-220 - BD241C. Transistor NPN, 100V, 3A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 40W. Fréquence maxi: 3MHz. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 12:25.

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TIP32C

TIP32C

Transistor PNP, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (sel...
TIP32C
Transistor PNP, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode BE: non. C (out): 160pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: PNP TRANS 100V 3. Date de production: 201448. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP31C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
TIP32C
Transistor PNP, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode BE: non. C (out): 160pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: PNP TRANS 100V 3. Date de production: 201448. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP31C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
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BD241C-ST

BD241C-ST

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (sel...
BD241C-ST
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD242C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V
BD241C-ST
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD242C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V
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