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On Semiconductor
Transistor NPN 80V 8A MJD44H11G
Référence produit : MJD44H11G
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 2.45 € | — |
| 10 – 29 | 1.99 € | -19% |
| 30 – 49 | 1.81 € | -26% |
| 50 – 74 | 1.64 € | -33% |
| 75+Meilleur prix | 1.51 € | -38% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 80 V |
| Courant collecteur (Ic) | 8 A |
| Gain en courant continu (hFE) | 750 (min) |
| Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat)) | 1.3 V (max) |
Description technique du produit (MJD44H11G):
Transistor NPN 80V 8A MJD44H11G. Transistor Darlington NPN de puissance, conçu pour les applications de commutation et d'amplification de puissance. Il offre un gain en courant élevé et une capacité de courant collecteur importante.