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Philips Semiconductors

Transistor NPN 80V 8A BD830

Référence produit : BD830
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.

Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)80V
Courant collecteur continu (Ic)8A
Gain en courant continu (hFE)20-100
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))1.5V

Description technique du produit (BD830):

Transistor NPN 80V 8A BD830. Le BD830 est un transistor de puissance bipolaire NPN conçu pour des applications de commutation et d'amplification de puissance.