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Transistor NPN 80V 8A BD649

Référence produit : BD649
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)80V
Courant collecteur continu (Ic)8A
Gain en courant continu (hFE)750 (min)
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))2V (max) à Ic=5A

Description technique du produit (BD649):

Transistor NPN 80V 8A BD649. Le BD649 est un transistor de puissance Darlington NPN conçu pour les applications de commutation et d'amplification de puissance à usage général.