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Transistor NPN 80V 3A BD179G

Référence produit : BD179G
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)80 V
Courant collecteur (Ic)3 A
Gain en courant continu (hFE)40 (min)
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))0.5 V (max) @ Ic=1A
Fréquence de transition (fT)50 MHz (typ)

Description technique du produit (BD179G):

Transistor NPN 80V 3A BD179G. Le BD179G est un transistor de puissance bipolaire NPN en silicium, conçu pour des applications de commutation et d'amplification de puissance à usage général.