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Nxp Semiconductors

Transistor NPN 80V 1A BSP60-115

Référence produit : BSP60-115
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)80 V
Courant collecteur continu (Ic)1 A
Gain en courant continu (hFE)100-250
Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat))0.5 V (max)
Fréquence de transition (fT)100 MHz (typ)

Description technique du produit (BSP60-115):

Transistor NPN 80V 1A BSP60-115. Le BSP60-115 est un transistor bipolaire NPN de puissance moyenne, conçu pour des applications de commutation et d'amplification. Il offre une bonne performance dans un boîtier compact SOT-223.