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Transistor NPN 80V 10A BDV65BG

Référence produit : BDV65BG
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)80V
Tension collecteur-base (Vcbo)80V
Courant collecteur continu (Ic)10A
Gain en courant continu (hFE)750 (min) à 20000 (max)
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))2.5V @ 5A
Fréquence de transition (fT)4 MHz

Description technique du produit (BDV65BG):

Transistor NPN 80V 10A BDV65BG. Le BDV65BG est un transistor Darlington de puissance NPN conçu pour les applications de commutation et d'amplification de puissance à usage général.