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Stmicroelectronics

Transistor NPN 80V 1.5A BD139-10

Référence produit : BD139-10
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)80V
Courant collecteur (Ic)1.5A
Gain en courant continu (hFE)63-160
Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat))0.5V max à Ic=1.5A, Ib=150mA

Description technique du produit (BD139-10):

Transistor NPN 80V 1.5A BD139-10. Transistor bipolaire NPN de puissance moyenne, conçu pour les applications de commutation et d'amplification.