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Philips Semiconductors

Transistor NPN 800V 8A BU2708AF

Référence produit : BU2708AF
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)800V
Courant collecteur (Ic)8A
Gain en courant continu (hFE)10 (min)
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))1.5V (max)
Fréquence de transition (fT)10 MHz (typ)

Description technique du produit (BU2708AF):

Transistor NPN 800V 8A BU2708AF. Transistor de puissance bipolaire NPN conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant.