En stock
Philips Semiconductors
Transistor NPN 800V 8A BU2508DF-PHI
Référence produit : BU2508DF-PHI
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 3.43 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 800V |
| Courant collecteur (Ic) | 8A |
| Gain en courant continu (hFE) | 5 (min) à 15 (max) @ Ic=5A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 1.5V (max) @ Ic=5A, Ib=1.25A |
| Fréquence de transition (fT) | 5 MHz (typ) |
Description technique du produit (BU2508DF-PHI):
Transistor NPN 800V 8A BU2508DF-PHI. Le BU2508DF-PHI est un transistor de puissance bipolaire NPN avec diode d'amortissement intégrée, conçu pour les applications de commutation haute tension et haute puissance, notamment dans les circuits de déflexion horizontale des téléviseurs CRT.