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Philips Semiconductors

Transistor NPN 800V 7A BU2727AF

Référence produit : BU2727AF
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)800V
Tension collecteur-base (Vcbo)1500V
Courant collecteur continu (Ic)7A
Gain en courant continu (hFE)10 (min)
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))1.5V (max)
Fréquence de transition (fT)15 MHz (min)

Description technique du produit (BU2727AF):

Transistor NPN 800V 7A BU2727AF. Le BU2727AF est un transistor de puissance bipolaire NPN haute tension conçu pour les applications de commutation rapide.