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Inchange Semiconductor

Transistor NPN 800V 12A BU2527DX-ISC

Référence produit : BU2527DX-ISC
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)800V
Courant collecteur (Ic)12A
Gain en courant continu (hFE)6-15
Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat))< 1.0V

Description technique du produit (BU2527DX-ISC):

Transistor NPN 800V 12A BU2527DX-ISC. Transistor bipolaire de puissance NPN haute tension avec diode d'amortissement intégrée, conçu pour les applications de commutation rapide.