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Philips Semiconductors

Transistor NPN 800V 10A BU2725DX

Référence produit : BU2725DX
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)800V
Tension collecteur-base (Vcbo)1500V
Courant collecteur (Ic)10A
Gain en courant continu (hFE)5 (min)
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))1.5V (max)
Fréquence de transition (fT)6 MHz

Description technique du produit (BU2725DX):

Transistor NPN 800V 10A BU2725DX. Transistor bipolaire NPN de puissance, conçu pour les applications de commutation haute tension et haute puissance.