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Transistor NPN 60V 8A BD809G

Référence produit : BD809G
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)60V
Courant collecteur (Ic)8A
Gain en courant continu (hFE)20-100
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))1.5V (max) à Ic=5A
Fréquence de transition (fT)3 MHz (min)

Description technique du produit (BD809G):

Transistor NPN 60V 8A BD809G. Le BD809G est un transistor de puissance bipolaire NPN conçu pour les applications de commutation et d'amplification de puissance à usage général.