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Matsushita

Transistor NPN 60V 5A 2SD855

Référence produit : 2SD855
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)60V
Courant collecteur continu (Ic)5A
Gain en courant continu (hFE)40-320
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))0.5V (max) à Ic=3A, Ib=0.3A
Fréquence de transition (fT)5MHz (typ)

Description technique du produit (2SD855):

Transistor NPN 60V 5A 2SD855. Le 2SD855 est un transistor bipolaire NPN de puissance conçu pour les applications de commutation et d'amplification à usage général.