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Transistor NPN 60V 1A BSP52T1GDARL

Référence produit : BSP52T1GDARL
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)60V
Courant collecteur (Ic)1A
Gain en courant continu (hFE)>1000
Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat))<1.2V

Description technique du produit (BSP52T1GDARL):

Transistor NPN 60V 1A BSP52T1GDARL. Transistor Darlington NPN de puissance moyenne, conçu pour les applications de commutation et d'amplification nécessitant un gain en courant élevé.