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Transistor NPN 50V 1A HSD1609-D

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Référence produit : HSD1609-D
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)50V
Courant collecteur (Ic)1A
Gain en courant continu (hFE)200-700
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))0.3V (max)
Fréquence de transition (fT)150MHz (typ)

Description technique du produit (HSD1609-D):

Transistor NPN 50V 1A HSD1609-D. Transistor bipolaire NPN de puissance moyenne, conçu pour les applications de commutation et d'amplification à usage général. Il offre un gain en courant élevé et une faible tension de saturation.

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