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Transistor NPN 50V 0.1A SMMUN2111LT1G
Vendu par lot de 5 (le prix affiché est pour un lot de 5)
Référence produit : SMMUN2111LT1G
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 19 | 0.79 € | — |
| 20 – 199 | 0.53 € | -33% |
| 200 – 599 | 0.40 € | -49% |
| 600+Meilleur prix | 0.26 € | -67% |
Caractéristiques techniques
8 paramètres| Tension collecteur-émetteur Vceo | 50V |
| Tension collecteur-base Vcbo | 50V |
| Courant collecteur Ic | 100mA |
| Gain en courant continu hFE | Non spécifié (dépend des résistances intégrées) |
| Tension collecteur-émetteur en saturation Vce(sat) | 0.25V (typ) |
| Fréquence de transition fT | Non spécifié |
| Résistance de base R1 | 10 kΩ |
| Résistance base-émetteur R2 | 10 kΩ |
Description technique du produit (SMMUN2111LT1G):
Transistor NPN 50V 0.1A SMMUN2111LT1G. Transistor Bipolaire NPN avec résistances de polarisation intégrées (BRT), conçu pour simplifier la conception de circuits et réduire le nombre de composants externes dans les applications de commutation numérique.
. Vendu par lot de 5 (le prix affiché est pour un lot de 5)