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Toshiba

Transistor NPN 50V 0.1A RN1409

Référence produit : RN1409
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)50V
Courant collecteur (Ic)100mA
Résistance de base (R1)10 kΩ
Résistance base-émetteur (R2)10 kΩ
Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat))Max 0.3V

Description technique du produit (RN1409):

Transistor NPN 50V 0.1A RN1409. Transistor bipolaire NPN avec résistances de polarisation intégrées, idéal pour les applications de commutation. Il simplifie la conception des circuits en éliminant le besoin de résistances de base externes.