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Transistor NPN 50V 0.1A PUMB11-R

Référence produit : PUMB11-R
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Caractéristiques techniques

8 paramètres
Tension collecteur-émetteur (NPN)50V
Tension collecteur-émetteur (PNP)-50V
Courant collecteur (NPN)100mA
Courant collecteur (PNP)-100mA
Gain en courant continu (hFE)100-300
Tension collecteur-émetteur de saturation (NPN)250mV
Tension collecteur-émetteur de saturation (PNP)-300mV
Fréquence de transition (fT)250MHz

Description technique du produit (PUMB11-R):

Transistor NPN 50V 0.1A PUMB11-R. Le PUMB11-R est une paire de transistors bipolaires complémentaires NPN/PNP de faible puissance, conçue pour les applications de commutation et d'amplification de signaux généraux. Il est encapsulé dans un boîtier SOT363 compact.