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Transistor NPN 50V 0.1A MMUN2211LT1G-R

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Référence produit : MMUN2211LT1G-R
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)50 V
Courant collecteur continu (Ic)100 mA
Gain en courant continu (hFE)min. 30
Résistances de polarisation intégréesR1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ

Description technique du produit (MMUN2211LT1G-R):

Transistor NPN 50V 0.1A MMUN2211LT1G-R. Transistor bipolaire NPN avec résistances de polarisation intégrées (BRT), conçu pour simplifier la conception de circuits en réduisant le nombre de composants externes. Idéal pour la commutation de charges et les interfaces logiques.

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