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Korea Electronics Semi.

Transistor NPN 50V 0.1A KRC102M

Référence produit : KRC102M
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)50V
Courant collecteur (Ic)100mA
Gain en courant continu (hFE)100 (typ.)
Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat))0.3V (max)

Description technique du produit (KRC102M):

Transistor NPN 50V 0.1A KRC102M. Transistor bipolaire NPN avec résistances de polarisation intégrées, conçu pour la commutation générale et les applications de driver.