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On Semiconductor

Transistor NPN 400V 8A MJE18008G

Référence produit : MJE18008G
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)400V
Courant collecteur (Ic)8A
Gain en courant continu (hFE)10 (min)
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))1.5V (max)

Description technique du produit (MJE18008G):

Transistor NPN 400V 8A MJE18008G. Transistor de puissance bipolaire NPN haute tension conçu pour les applications de commutation rapide.