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Philips Semiconductors

Transistor NPN 400V 8A BUT18AF-PHI

Référence produit : BUT18AF-PHI
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)400V
Tension collecteur-base (Vcbo)700V
Courant collecteur (Ic)8A
Gain en courant continu (hFE)10-50
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))1.5V (max)
Fréquence de transition (fT)10MHz (typ)

Description technique du produit (BUT18AF-PHI):

Transistor NPN 400V 8A BUT18AF-PHI. Le BUT18AF-PHI est un transistor de puissance bipolaire NPN conçu pour les applications de commutation rapide dans les alimentations à découpage et les convertisseurs.