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ON Semiconductor

Transistor NPN 400V 8A BUL45GD2G

Référence produit : BUL45GD2G
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur Vceo400V
Courant collecteur Ic8A
Gain en courant continu hFE10-50
Tension collecteur-émetteur en saturation Vce(sat)1V (max)
Fréquence de transition fT10MHz

Description technique du produit (BUL45GD2G):

Transistor NPN 400V 8A BUL45GD2G. Transistor bipolaire NPN de puissance conçu pour les applications de commutation rapide, offrant une haute tension de claquage et une capacité de courant élevée.