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Philips Semiconductors

Transistor NPN 400V 7A BU506DF

Référence produit : BU506DF
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)400V
Courant collecteur continu (Ic)7A
Gain en courant continu (hFE)8-40 (à Ic=1A)
Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat))1.5V (max) à Ic=5A
Fréquence de transition (fT)5MHz (min)

Description technique du produit (BU506DF):

Transistor NPN 400V 7A BU506DF. Le BU506DF est un transistor de puissance bipolaire NPN conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant élevé, intégrant une diode de roue libre pour une protection accrue.