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Transistor NPN 400V 12A MJE13009G

Référence produit : MJE13009G
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)400V
Tension collecteur-base (Vcbo)700V
Courant collecteur (Ic)12A
Gain en courant continu (hFE)8-40 (à Ic=5A)
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))1.0V max (à Ic=5A, Ib=1A)
Fréquence de transition (fT)4 MHz typ

Description technique du produit (MJE13009G):

Transistor NPN 400V 12A MJE13009G. Transistor bipolaire de puissance NPN haute tension et haute vitesse, conçu pour les applications de commutation dans les alimentations à découpage, les onduleurs et les ballasts électroniques.