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Philips Semiconductors

Transistor NPN 400V 10A BUT18A-PHI

Référence produit : BUT18A-PHI
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)400V
Courant collecteur (Ic)10A
Gain en courant continu (hFE)10-50
Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat))1.5V
Fréquence de transition (fT)10 MHz

Description technique du produit (BUT18A-PHI):

Transistor NPN 400V 10A BUT18A-PHI. Transistor de puissance bipolaire NPN conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant.