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Inchange Semiconductor

Transistor NPN 400V 10A BUT12AF

Référence produit : BUT12AF
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.

Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)400V
Tension collecteur-base (Vcbo)800V
Courant collecteur continu (Ic)10A
Gain en courant continu (hFE)10 (min)
Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat))1.5V (max)
Fréquence de transition (fT)10MHz (typ)

Description technique du produit (BUT12AF):

Transistor NPN 400V 10A BUT12AF. Transistor bipolaire de puissance NPN conçu pour les applications de commutation rapide dans les alimentations à découpage et les convertisseurs.