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Microsemi
Transistor NPN 30V 5A 2N6080
Référence produit : 2N6080
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 39 | 18.78 € | — |
| 40+Meilleur prix | 18.14 € | -3% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 30V |
| Tension collecteur-base (Vcbo) | 65V |
| Courant collecteur (Ic) | 5A |
| Gain en courant continu (hFE) | 10-100 |
| Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat)) | 1V |
| Fréquence de transition (fT) | 50 MHz |
Description technique du produit (2N6080):
Transistor NPN 30V 5A 2N6080. Transistor de puissance RF NPN conçu pour les applications d'amplification de puissance en radiofréquence.