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Korea Electronics Semi.

Transistor NPN 30V 0.1A KSC838-Y

Référence produit : KSC838-Y
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur Vceo30V
Courant collecteur Ic0.1A
Gain en courant continu hFE120-240
Tension collecteur-émetteur en saturation Vce(sat)0.3V (max)
Fréquence de transition fT150MHz

Description technique du produit (KSC838-Y):

Transistor NPN 30V 0.1A KSC838-Y. Transistor bipolaire NPN de faible puissance, conçu pour les applications de commutation et d'amplification générale.