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Korea Electronics Semi.

Transistor NPN 30V 0.1A KSC838-O

Référence produit : KSC838-O
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)30V
Courant collecteur (Ic)0.1A
Gain en courant continu (hFE)70-140
Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat))0.3V (max)
Fréquence de transition (fT)150MHz (typ)

Description technique du produit (KSC838-O):

Transistor NPN 30V 0.1A KSC838-O. Transistor bipolaire NPN de faible puissance, conçu pour les applications de commutation et d'amplification générale.