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Transistor NPN 300V 0.5A MMBTA42LT1G-1D

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Référence produit : MMBTA42LT1G-1D
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)300 V
Courant collecteur continu (Ic)500 mA
Gain en courant continu (hFE)40 (min)
Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat))0,5 V (max)
Fréquence de transition (fT)50 MHz (min)

Description technique du produit (MMBTA42LT1G-1D):

Transistor NPN 300V 0.5A MMBTA42LT1G-1D. Transistor bipolaire NPN haute tension, conçu pour les applications de commutation et d'amplification à haute tension.

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