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Philips Semiconductors

Transistor NPN 250V 10A BUV27A

Référence produit : BUV27A
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)250V
Tension collecteur-base (Vcbo)400V
Courant collecteur continu (Ic)10A
Gain en courant continu (hFE)10 (min) à Ic=5A
Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat))1.5V (max) à Ic=5A
Fréquence de transition (fT)20 MHz (typ)

Description technique du produit (BUV27A):

Transistor NPN 250V 10A BUV27A. Le BUV27A est un transistor de puissance bipolaire NPN conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et de puissance.