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On Semiconductor
Transistor NPN 200V 6A MJD42CT4G
Référence produit : MJD42CT4G
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 0.98 € | — |
| 10 – 29 | 0.67 € | -32% |
| 30 – 49 | 0.60 € | -39% |
| 50 – 99 | 0.55 € | -44% |
| 100 – 199 | 0.50 € | -49% |
| 200 – 2499 | 0.49 € | -50% |
| 2500+Meilleur prix | 0.49 € | -50% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 200V |
| Tension collecteur-base (Vcbo) | 200V |
| Courant collecteur continu (Ic) | 6A |
| Gain en courant continu (hFE) | 20 (min) |
| Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat)) | 1.0V (max) |
| Fréquence de transition (fT) | 4 MHz (min) |
Description technique du produit (MJD42CT4G):
Transistor NPN 200V 6A MJD42CT4G. Transistor de puissance bipolaire NPN conçu pour les applications de commutation et d'amplification de puissance.