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Transistor NPN 160V 0.6A MMBT5551LT1G
Référence produit : MMBT5551LT1G
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.24 € | — |
| 100 – 999 | 0.13 € | -46% |
| 1000 – 2999 | 0.07 € | -71% |
| 3000+Meilleur prix | 0.06 € | -75% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 160 V |
| Courant collecteur continu (Ic) | 600 mA |
| Gain en courant continu (hFE) | 80-250 |
| Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat)) | 0.2 V |
| Fréquence de transition (fT) | 100 MHz |
Description technique du produit (MMBT5551LT1G):
Transistor NPN 160V 0.6A MMBT5551LT1G. Transistor bipolaire NPN de petite puissance, conçu pour les applications de commutation et d'amplification à haute tension.