En stock
Philips Semiconductors
Transistor NPN 15V 0.1A BFG591
Référence produit : BFG591
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 3.26 € | — |
| 100+Meilleur prix | 3.13 € | -4% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension collecteur-émetteur Vceo | 15V |
| Tension collecteur-base Vcbo | 20V |
| Courant collecteur Ic | 100mA |
| Fréquence de transition fT | 7 GHz |
| Gain en courant continu hFE | 50-150 |
| Tension collecteur-émetteur en saturation Vce(sat) | 0.3V |
Description technique du produit (BFG591):
Transistor NPN 15V 0.1A BFG591. Transistor bipolaire NPN de puissance moyenne, conçu pour les applications de radiofréquence (RF) jusqu'à 7 GHz. Il offre un faible bruit et un gain élevé, idéal pour les étages d'amplification RF et les oscillateurs.