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Philips Semiconductors

Transistor NPN 15V 0.035A BFG67X

Référence produit : BFG67X
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)15V
Courant collecteur (Ic)35mA
Fréquence de transition (fT)9 GHz
Gain en courant continu (hFE)100
Tension collecteur-base (Vcbo)20V
Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat))0.3V

Description technique du produit (BFG67X):

Transistor NPN 15V 0.035A BFG67X. Transistor bipolaire NPN de haute fréquence conçu pour les applications de radiofréquence.